时间：2025/7/5 4:49:55
阅读：18
FN15X822K250PNG 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的高压 MOSFET，主要应用于高功率开关场景。该器件采用 N 沟道增强型技术，适合于需要高效能和低导通电阻的应用场合。其封装形式为 PQFN 封装，具有良好的散热性能和紧凑的设计，适用于各种工业和消费类电子产品。
型号：FN15X822K250PNG
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：820V
Rds(on)（导通电阻）：250mΩ（典型值，在特定条件下）
Id（持续漏电流）：15A
封装：PQFN
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：46nC（典型值）
总电容：3300pF（典型值）
FN15X822K250PNG 具有以下特点：
1. 高压设计使其能够承受高达 820V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 超低的导通电阻确保了在大电流操作下的高效率，同时降低了功率损耗。
3. 快速开关能力得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构。
4. 采用 PQFN 封装，提供卓越的热性能和电气性能，同时减少了 PCB 空间占用。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），使其能够在极端环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 电机驱动器，用于控制直流或无刷电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器中作为功率开关元件。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电动工具和其他便携式高功率设备的电池管理。
6. LED 驱动器以实现高效亮度调节。
IRFP460, STW12NM80, FDP18N80Z
