FN15X821K500PNG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的半导体制造工艺设计,主要用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种需要高效功率转换的应用场景。
FN15X821K500PNG属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为PDFN5x6-8L,具备小尺寸和高散热能力,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:19A
导通电阻:3.6mΩ
栅极电荷:47nC
开关速度:非常快
结温范围:-55℃至175℃
FN15X821K500PNG的核心特点是其卓越的电气性能和可靠性。低导通电阻使得该器件在高电流条件下能够保持较低的功耗,从而提高整体效率。
此外,其高开关速度减少了开关损耗,在高频应用中表现尤为出色。
器件采用了PDFN5x6-8L封装,这种封装不仅减小了PCB板上的占用面积,还通过优化的热路径设计增强了散热性能。
FN15X821K500PNG还具备良好的抗静电能力(ESD保护),确保在苛刻环境下仍能稳定运行。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。常见的应用包括:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理
5. 充电器电路
由于其优异的性能,FN15X821K500PNG特别适合用于高效率、高功率密度的设计方案。
IRF840,
FDP5800,
STP19NF06L