时间：2025/6/5 11:56:50
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FN15X272K500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，使其在电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等应用中表现出色。此型号采用标准封装设计，便于安装和散热管理。
FN15X272K500PNG 的设计目标是提供高效的电力传输和优秀的热性能，在高频率操作下仍能保持稳定性。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：272mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FN15X272K500PNG 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达 500V 的漏源电压，适用于高压环境下的各种应用。
2. 极低的导通电阻（272mΩ），可显著降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，支持高频电路设计，减少能量损失并优化动态性能。
4. 小巧的封装尺寸，便于集成到紧凑型设计中。
5. 支持宽广的工作温度范围，确保在极端条件下稳定运行。
6. 内部保护机制提升了整体可靠性，延长了器件使用寿命。
这些特性使 FN15X272K500PNG 成为工业控制、通信设备及消费类电子产品中的理想选择。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和适配器。
2. DC-DC 转换器和逆变器。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）。
6. 其他需要高效功率转换和开关功能的应用场景。
凭借其卓越的电气特性和可靠性，FN15X272K500PNG 在现代电子设计中扮演着重要角色。
IRF540N, FQP16N50C, STP15NF50
