时间：2025/6/6 13:44:39
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FN15N821J500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）推出，封装形式为行业标准的 TO-220 封装，便于安装和散热管理。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
总功耗：160W
FN15N821J500PNG 的主要特点是其高耐压能力，适合高压环境下的应用。此外，它还具有以下优点：
1. 极低的导通电阻，在大电流条件下能够减少功耗和发热。
2. 高速开关性能，支持高频电路设计，从而减小磁性元件的体积和重量。
3. 内置保护功能（如抗雪崩能力），提高了器件在异常条件下的可靠性。
4. 优化的热性能，即使在高功率应用中也能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足现代工业对环保的要求。
该芯片适用于多种电力电子设备和场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），用于实现高效的电压转换。
2. 工业电机驱动，提供精确的功率控制。
3. 太阳能逆变器中的功率级切换。
4. DC-DC 转换器，特别适合需要高效率和紧凑设计的应用。
5. 电动工具和其他便携式电器中的功率管理模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，FN15N821J500PNG 成为许多高压、高功率应用场景的理想选择。
STW12NM82, IRF8215, FQA15N82L
