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FN15N821J500PNG 发布时间 时间:2025/6/6 13:44:39 查看 阅读:4

FN15N821J500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该型号由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)推出,封装形式为行业标准的 TO-220 封装,便于安装和散热管理。

参数

最大漏源电压:820V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:0.5Ω
  栅极电荷:45nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  总功耗:160W

特性

FN15N821J500PNG 的主要特点是其高耐压能力,适合高压环境下的应用。此外,它还具有以下优点:
  1. 极低的导通电阻,在大电流条件下能够减少功耗和发热。
  2. 高速开关性能,支持高频电路设计,从而减小磁性元件的体积和重量。
  3. 内置保护功能(如抗雪崩能力),提高了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 优化的热性能,即使在高功率应用中也能保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足现代工业对环保的要求。

应用

该芯片适用于多种电力电子设备和场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),用于实现高效的电压转换。
  2. 工业电机驱动,提供精确的功率控制。
  3. 太阳能逆变器中的功率级切换。
  4. DC-DC 转换器,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用。
  5. 电动工具和其他便携式电器中的功率管理模块。
  由于其出色的电气特性和可靠性,FN15N821J500PNG 成为许多高压、高功率应用场景的理想选择。

替代型号

STW12NM82, IRF8215, FQA15N82L

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