时间：2025/6/22 11:58:52
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FN15N6R8D500PNG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供良好的散热性能。其设计优化了功率转换效率，同时确保了在高频率下的稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：ton=27ns, toff=18ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FN15N6R8D500PNG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，非常适合开关电源和逆变器应用。
3. 高电流承载能力，能够承受高达 15A 的连续漏极电流。
4. 小尺寸 DPAK 封装，便于安装并提供了优秀的散热性能。
5. 工作温度范围广，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. LED 照明驱动
5. 太阳能微逆变器
6. 电池管理系统（BMS）
7. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRFZ44N
FDP15N60
STP15NF06
