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FN15N6R8C500PNG 发布时间 时间:2025/5/23 2:57:41 查看 阅读:1

FN15N6R8C500PNG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种高频开关应用场合,如 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动电路等。其封装形式为标准的 TO-220,便于散热和安装。
  该型号属于 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)旗下的 MOSFET 系列产品,广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:45nC
  总功耗:125W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

FN15N6R8C500PNG 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量承受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  5. 内置静电防护功能,提升器件的抗干扰性能。
  6. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

应用

这款 MOSFET 可用于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
  2. 各类负载切换电路,例如继电器替代方案。
  3. 电池管理系统中的充放电保护电路。
  4. 电机驱动和逆变器电路中的功率级开关。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 消费类电子产品中的高效能电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, STP16NF06L

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