时间：2025/6/24 13:07:30
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FN15N560J500PNG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关电源、电机驱动和功率转换等应用领域。该器件采用N沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提高效率并降低功耗。
此型号由知名半导体厂商生产，设计用于高电压和高电流环境下的功率管理场景。其封装形式为标准的表面贴装类型，适合自动化生产和紧凑型设计需求。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：80nC
总电容：2300pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
FN15N560J500PNG具备出色的电气性能，尤其是在高压应用中表现出色。以下是其主要特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压达到560V，可满足多种工业和消费类电子设备的需求。
2. 低导通电阻：在高电流条件下，器件的导通损耗较小，有助于提升系统效率。
3. 快速开关速度：由于优化的内部结构设计，其开关时间短，能有效减少动态损耗。
4. 稳定性强：工作温度范围广，即使在极端环境下也能保持稳定运行。
5. 封装可靠：采用表面贴装技术，不仅节省空间，还提高了焊接可靠性。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管，提供高效的能量转换。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
3. 光伏逆变器：参与太阳能发电系统的直流到交流转换过程。
4. 工业自动化设备：如伺服控制器、变频器等需要精准功率调节的地方。
5. 汽车电子：例如车载充电器、LED照明驱动等对可靠性和效率要求较高的场合。
IRFP460N
FDP15N50
STP15NF50
