FN15N4R3B500PNG是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于功率转换、开关电源、电机驱动等场景。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关的特点,能够满足高效能功率系统的需求。它采用了TO-220封装形式,适合散热需求较高的应用环境。
型号:FN15N4R3B500PNG
封装:TO-220
额定电压:400V
额定电流:15A
导通电阻:0.4Ω
最大功耗:100W
工作温度范围:-55℃至175℃
栅极阈值电压:2V~4V
FN15N4R3B500PNG采用先进的硅工艺制造,具备以下特点:
1. 高击穿电压(400V),适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻(0.4Ω),可减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗。
4. 强大的雪崩能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 支持宽广的工作温度范围(-55℃至175℃),适应多种极端环境。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
这款MOSFET广泛应用于需要高压控制的场景中,具体包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的主开关元件。
3. 电机驱动器中的功率级开关。
4. 能量管理系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器中的功率调节单元。
IRF840, STP15NF04L, FQP17N40