时间：2025/5/23 14:09:21
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FN15N3R0C500PNG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该器件适用于高频开关和功率转换应用，广泛用于电源管理、电机驱动和电信设备中。FN15N3R0C500PNG采用了先进的制造工艺，以确保其具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。
此型号的命名规则反映了其主要参数，例如：FN表示制造商系列，15表示最大漏源电压（Vds）为15V，N代表N沟道，3R0表示导通电阻约为3.0mΩ，C500表示连续漏极电流能力为500A，PNG则表示封装类型为Pseudo-NexFET Gen2。
最大漏源电压：15V
导通电阻：3.0mΩ典型值
连续漏极电流：500A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：PNG
FN15N3R0C500PNG具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压（15V），能够承受较宽的工作电压范围。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 小尺寸封装设计，便于PCB布局和散热管理。
5. 高可靠性，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款器件非常适合在需要高效能和小体积的应用场景中使用，比如DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化控制等。
FN15N3R0C500PNG主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路，用于电动车、家用电器和其他工业设备。
3. 通信设备中的功率调节模块。
4. UPS不间断电源系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 电池保护与管理系统。
这些应用均得益于该器件的高效率、快速响应和高电流承载能力。
IRFZ44N
FDP5800
STP16NF06L
