时间：2025/6/16 18:32:59
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FN15N330J500PNG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的场景。该器件采用PDFN5*6封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中保持高效性能。
FN15N330J500PNG的核心特点是其优化的电气参数设计，使其在多种应用场景下表现出优异的性能。同时，由于其紧凑的封装形式，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：330V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.5Ω
总栅极电荷：55nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：PDFN5*6
FN15N330J500PNG具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：330V，适用于高电压环境下的功率开关。
2. 低导通电阻：典型值为0.5Ω，在大电流应用中可降低功耗。
3. 快速开关性能：总栅极电荷仅为55nC，有助于减少开关损耗。
4. 紧凑封装：采用PDFN5*6封装，节省PCB空间。
5. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+175℃的极端温度条件，适应各种严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准：环保无铅设计，满足国际法规要求。
该型号MOSFET适合于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种负载切换及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率开关元件。
IRF3205
STP16NF50
FDP15N33
