时间：2025/7/2 13:43:40
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FN15N2R0B500PNG是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装形式。这种器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电力电子应用中作为高效的开关元件。
该MOSFET的额定电压为20V，额定电流为15A（在特定条件下）。其出色的电气性能使得它非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：43nC
输入电容：1090pF
总功耗：7.5W
工作温度范围：-55℃至150℃
FN15N2R0B500PNG拥有非常低的导通电阻，从而能够显著降低导通损耗并提升效率。
其快速开关能力减少了开关损耗，在高频操作下表现尤为突出。
PDFN5x6封装不仅体积小巧，而且具备优良的散热性能，非常适合空间受限的应用环境。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和静电防护功能，确保了在复杂工况下的稳定运行。
由于其优异的电气特性和紧凑设计，这款MOSFET成为许多现代高效能功率转换解决方案的理想选择。
FN15N2R0B500PNG广泛应用于消费电子、工业设备和汽车领域中的各种电力转换和控制场合。
主要应用包括但不限于：
1. DC-DC转换器：提供高效的电压调节功能。
2. 负载开关：用于电源管理以实现快速响应和低损耗。
3. 电池保护：防止过流、短路等情况发生。
4. 电机驱动：支持精确的速度和扭矩控制。
5. 开关电源适配器：帮助构建紧凑且高效的电源系统。
IPB014N02L,
NTMT015N02S,
AO4402A
