时间：2025/7/11 17:00:30
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FN15N1R0B500PNG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它适用于需要高效率和低损耗的电力电子应用。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等应用场景。
该芯片采用的是标准 TO-220 封装形式，便于安装在 PCB 板上，并且能够有效散热。
最大漏源电压：15V
连续漏极电流：-67A
导通电阻：1.0mΩ
栅极电荷：83nC
开关速度：超快
封装形式：TO-220
FN15N1R0B500PNG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗并支持高频工作。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 栅极驱动要求简单，易于与各类控制器匹配。
5. 优化的热性能设计，确保在高功率应用中具备良好的散热表现。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关功能。
2. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源汽车和电动车的电池管理系统。
5. LED 照明驱动电路中的电流调节。
6. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器设计。
IRFZ44N
FDP15N10
STP15NF06L
