FN15N1R0B500PNG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于需要高效率和低损耗的电力电子应用。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性,适合于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等应用场景。
该芯片采用的是标准 TO-220 封装形式,便于安装在 PCB 板上,并且能够有效散热。
最大漏源电压:15V
连续漏极电流:-67A
导通电阻:1.0mΩ
栅极电荷:83nC
开关速度:超快
封装形式:TO-220
FN15N1R0B500PNG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,减少开关损耗并支持高频工作。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 栅极驱动要求简单,易于与各类控制器匹配。
5. 优化的热性能设计,确保在高功率应用中具备良好的散热表现。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅制造工艺。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
2. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源汽车和电动车的电池管理系统。
5. LED 照明驱动电路中的电流调节。
6. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器设计。
IRFZ44N
FDP15N10
STP15NF06L