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FN15N181J500PNG 发布时间 时间:2025/6/4 0:11:42 查看 阅读:3

FN15N181J500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率转换应用。
  其封装形式为符合行业标准的表面贴装封装(PN结隔离),并具备出色的热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:181V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):500mΩ
  栅极阈值电压:2.5V
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:PNG

特性

FN15N181J500PNG 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著减少功率损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 强大的雪崩击穿能力和 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
  4. 小尺寸封装设计,便于在紧凑型电路板上使用。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保无铅材料制造。

应用

该型号 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流与主开关管。
  2. DC-DC 转换器,如降压、升压及反激式拓扑结构。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 可再生能源系统中的逆变器模块。
  6. 各类电池管理系统(BMS)中的保护电路。

替代型号

IRFZ44N
  FQP17N10
  STP16NF06

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