FN15N181J500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率转换应用。
其封装形式为符合行业标准的表面贴装封装(PN结隔离),并具备出色的热性能和电气特性。
最大漏源电压:181V
连续漏极电流:15A
导通电阻(典型值):500mΩ
栅极阈值电压:2.5V
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:PNG
FN15N181J500PNG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著减少功率损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 强大的雪崩击穿能力和 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
4. 小尺寸封装设计,便于在紧凑型电路板上使用。
5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保无铅材料制造。
该型号 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流与主开关管。
2. DC-DC 转换器,如降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 可再生能源系统中的逆变器模块。
6. 各类电池管理系统(BMS)中的保护电路。
IRFZ44N
FQP17N10
STP16NF06