时间：2025/6/4 0:11:42
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FN15N181J500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率转换应用。
其封装形式为符合行业标准的表面贴装封装（PN结隔离），并具备出色的热性能和电气特性。
最大漏源电压：181V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：500mΩ
栅极阈值电压：2.5V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PNG
FN15N181J500PNG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 强大的雪崩击穿能力和 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
4. 小尺寸封装设计，便于在紧凑型电路板上使用。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保无铅材料制造。
该型号 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流与主开关管。
2. DC-DC 转换器，如降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 可再生能源系统中的逆变器模块。
6. 各类电池管理系统（BMS）中的保护电路。
IRFZ44N
FQP17N10
STP16NF06
