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FN15N151J500PNG 发布时间 时间:2025/6/25 23:41:23 查看 阅读:8

FN15N151J500PNG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效能应用中。
  该型号中的具体参数定义如下:FN 表示 Fairchild 的产品系列;15 表示最大漏源电压为 150V;N 表示 N 沟道;151 表示连续漏极电流为 15.1A;J 表示逻辑电平栅极驱动;500 表示最大导通电阻为 50mΩ(典型值);PNG 表示封装类型为 PQFN(Power Quad Flat No-Lead)。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:15.1A
  导通电阻(典型值):50mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1240pF
  总功耗:230W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:PQFN
  引脚数量:8

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗。
  3. 逻辑电平栅极驱动,兼容 3.3V 和 5V 系统。
  4. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  5. 具备出色的热性能,支持高功率密度设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  7. 封装紧凑,节省 PCB 空间,适合小型化设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. DC-DC 转换器的主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. LED 驱动器中的功率管理部分。
  5. 工业设备中的负载切换和保护电路。
  6. 通信电源和适配器中的高效功率管理组件。

替代型号

FDP15N15,
  IRFZ44N,
  STP16NF50,
  IXFH20N50

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