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FN15N150G500PNG 发布时间 时间:2025/7/2 13:42:52 查看 阅读:14

FN15N150G500PNG 是一款高性能的 MOSFET 器件,采用 N 沟道增强型结构。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他功率转换应用中。其卓越的电气性能和可靠性使得它在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域中得到了广泛应用。
  FN15N150G500PNG 的设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):50mΩ
  栅极电荷(典型值):28nC
  输入电容:1300pF
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

FN15N150G500PNG 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,可显著降低开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,能够在宽温范围内保持性能一致性。
  4. 内置雪崩能量保护功能,提高了器件在异常条件下的耐受能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 封装牢固可靠,适合高振动和恶劣环境下的应用。

应用

FN15N150G500PNG 广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电机驱动器中的逆变桥臂开关。
  4. 太阳能逆变器及储能系统中的功率管理。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 汽车电子系统中的高效率功率模块。
  7. 各类便携式设备的电池管理系统(BMS)。

替代型号

IRFZ44N, FDP15N150P

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