时间：2025/7/2 13:42:52
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FN15N150G500PNG 是一款高性能的 MOSFET 器件，采用 N 沟道增强型结构。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他功率转换应用中。其卓越的电气性能和可靠性使得它在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域中得到了广泛应用。
FN15N150G500PNG 的设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷（典型值）：28nC
输入电容：1300pF
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FN15N150G500PNG 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力，支持高频操作，可显著降低开关损耗。
3. 出色的热稳定性，能够在宽温范围内保持性能一致性。
4. 内置雪崩能量保护功能，提高了器件在异常条件下的耐受能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 封装牢固可靠，适合高振动和恶劣环境下的应用。
FN15N150G500PNG 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动器中的逆变桥臂开关。
4. 太阳能逆变器及储能系统中的功率管理。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子系统中的高效率功率模块。
7. 各类便携式设备的电池管理系统（BMS）。
IRFZ44N, FDP15N150P
