时间：2025/6/24 13:04:20
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FN15N102J500PNG是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而实现高效能的电力传输与控制。
FN15N102J500PNG的设计旨在满足现代电子设备对高效能、小尺寸和高可靠性的需求，适用于各种工业和消费类应用。
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
输入电容(Ciss)：2850pF
最大功耗(Ptot)：200W
工作温度范围(Tj)：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
FN15N102J500PNG具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，漏源电压高达100V，适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，Rds(on)仅为7.5mΩ，大幅降低传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频开关操作，适用于高频电源转换。
4. 栅极驱动要求低，易于与逻辑电路兼容，简化了电路设计。
5. 耐热性能优越，工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，适用于极端环境下的应用。
6. 高可靠性设计，通过了严格的测试验证，确保长期稳定运行。
该器件适用于以下典型应用：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和电源管理。
3. 电机驱动，如无刷直流电机(BLDC)控制器。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC)。
IRFZ44N
FDP15N10
STP15NF06
