时间：2025/5/23 14:16:29
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FN15N100G500PNG是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等高电压领域。其额定电压为100V，持续电流可达15A，具有低导通电阻和快速开关速度的特性。
FN15N100G500PNG通过优化的芯片设计实现了高效的功率转换，并且具备出色的热性能，适合各种需要高效率和可靠性的工业及消费类应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：130W
结温范围：-55℃~+150℃
封装形式：TO-220
FN15N100G500PNG采用了先进的半导体制造工艺，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定运行。
1. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为0.18Ω，有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力：由于较低的输入电容和输出电荷，器件能够在高频条件下保持高效工作。
3. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，器件能够在恶劣的工作环境下长期稳定运行。
4. 热性能优异：TO-220封装提供良好的散热性能，能够有效降低器件温度，延长使用寿命。
5. 静电防护设计：内置ESD保护电路，提高了器件的抗静电能力。
FN15N100G500PNG适用于多种电力电子应用场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，用于AC-DC或DC-DC转换。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或步进电机的运转。
3. 逆变器：在光伏逆变器和不间断电源（UPS）中起到关键作用。
4. 负载切换：实现负载的快速接通与断开。
5. 过流保护：利用其低导通电阻特性，实现高效的过流检测与保护功能。
IRFZ44N
FQP17N10
STP16NF06
