时间：2025/6/26 16:27:21
阅读：5
FN15F333Z500PNG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合应用于各种电源管理场景，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。其封装形式为行业标准的PDFN5*6，有助于实现更紧凑的设计。
FN15F333Z500PNG采用先进的制造工艺，能够在高频应用中保持高效表现，同时提供稳定的电气特性和可靠性。
最大漏源电压：33V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：3.3mΩ
栅极电荷：74nC
输入电容：1550pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：PDFN5*6
FN15F333Z500PNG具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境，适合现代电源设计需求。
3. 小型化的PDFN封装，能够节省电路板空间并简化散热设计。
4. 广泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各类电子设备中。
这些特点使该MOSFET成为高效能、小体积电源解决方案的理想选择。
FN15F333Z500PNG适用于多种应用领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 各类负载开关，用于控制不同负载的供电状态。
3. DC-DC转换器中的同步整流器或主开关。
4. 电机驱动电路中的功率输出级。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
凭借其优越的电气性能和紧凑的封装，这款MOSFET非常适合消费电子、工业自动化以及通信设备等领域。
IRF3710,
Si7850DP,
FDMQ8207
