FN15F153Z500PNG 是一款由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它广泛应用于各种电源管理场景,如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及逆变器等。
其封装形式为 PQFN (Power Quadrat Flat No-leads),具备良好的散热性能和紧凑的设计,非常适合对空间有严格要求的应用环境。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:28A
导通电阻(典型值,Vgs=10V):5.5mΩ
栅极电荷(Qg,典型值):95nC
输入电容(Ciss,典型值):1840pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FN15F153Z500PNG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定漏极电流能力,适合大功率应用。
3. 快速开关性能,降低开关损耗。
4. 小尺寸 PQFN 封装设计,节省 PCB 空间。
5. 卓越的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子产品需求。
7. 内置静电保护功能,增强器件可靠性。
该芯片适用的应用领域如下:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动电路。
3. 电动车和混合动力车中的电池管理系统 (BMS)。
4. 高效负载开关设计。
5. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
6. 各种消费类电子产品的电源管理单元 (PMU)。
由于其出色的电气性能和紧凑的封装形式,FN15F153Z500PNG 成为了众多高性能应用的理想选择。
FDP15N150,
STP17NF15,
IRLB8748PBF