FN15B104K160PNG是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而提高效率并降低功耗。
FN15B104K160PNG通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中,其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:10A
导通电阻(Rds(on)):4Ω(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:28nC(典型值)
输入电容:1200pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220FP
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关速度可以实现更高的工作频率,同时降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 具备优良的热稳定性和机械强度,适合苛刻的工作环境。
5. 采用无铅和符合RoHS标准的材料,满足环保要求。
6. 封装设计优化散热性能,确保长时间运行中的稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路中的电子保险丝。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和负载切换功能。
IRFZ44N, FQP17N10, STP10NK60Z