时间：2025/5/23 11:22:55
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FN03N4R7C500PLG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号主要应用于高频开关电路、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。其出色的导通电阻和快速开关特性使其成为功率管理应用的理想选择。
FN03N4R7C500PLG 采用先进的制造工艺，具备较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：2.9nC
总电容：880pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 小型封装 PLG，节省 PCB 空间。
6. 宽温度范围支持，适用于各种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电池保护和负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各类便携式电子设备中的高效功率管理方案。
IRF7407
FDP5500
AO3400
