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FN03N3R3C500PLG 发布时间 时间:2025/7/1 9:38:41 查看 阅读:9

FN03N3R3C500PLG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
  这款MOSFET属于N沟道增强型,其封装形式为PLG,适合表面贴装技术(SMT),能够有效降低装配成本并提高可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:3A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  总功耗:125W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

FN03N3R3C500PLG具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压,可承受高达500V的工作电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻(仅3.5mΩ),显著减少传导损耗,从而提升系统效率。
  3. 快速开关能力,得益于较小的栅极电荷值(35nC),适用于高频开关场景。
  4. 超宽工作温度范围(-55℃至175℃),适应各种严苛的工作条件。
  5. 表面贴装封装(PLG),便于自动化生产和小型化设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
  2. 电机驱动器,如步进电机、直流无刷电机等。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  5. 各类消费电子产品中的电源管理模块。
  由于其高耐压能力和低导通电阻,特别适合需要高效能与高可靠性的场合。

替代型号

IRF540N
  STP36NF06L
  FDP18N50C
  IXYS5N50E

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