FN03N3R3C500PLG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
这款MOSFET属于N沟道增强型,其封装形式为PLG,适合表面贴装技术(SMT),能够有效降低装配成本并提高可靠性。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:3A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:35nC
总功耗:125W
工作结温范围:-55℃至175℃
FN03N3R3C500PLG具备以下主要特性:
1. 高击穿电压,可承受高达500V的工作电压,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻(仅3.5mΩ),显著减少传导损耗,从而提升系统效率。
3. 快速开关能力,得益于较小的栅极电荷值(35nC),适用于高频开关场景。
4. 超宽工作温度范围(-55℃至175℃),适应各种严苛的工作条件。
5. 表面贴装封装(PLG),便于自动化生产和小型化设计。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
2. 电机驱动器,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 各类消费电子产品中的电源管理模块。
由于其高耐压能力和低导通电阻,特别适合需要高效能与高可靠性的场合。
IRF540N
STP36NF06L
FDP18N50C
IXYS5N50E