时间：2025/7/1 8:28:23
阅读：26
FN03N1R0B500PLG是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低能耗并提升系统效率。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于大电流和高频开关场景，其出色的热性能和电气特性使其成为工业控制和消费电子产品的理想选择。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：30nC
总电容：120pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 高耐压能力：最大漏源电压达到500V，可满足高压应用场景的需求。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为1.2Ω，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关特性：极低的栅极电荷和总电容使得开关速度快，适合高频应用。
4. 宽温工作范围：支持从-55℃到175℃的极端温度环境，确保在各种工况下的可靠性。
5. 高可靠性设计：通过多项严格的测试和验证，确保长期稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的电源管理模块
IRF840,
STP3NB50,
FDP16N50
