FN03B472K160PLG是一款高性能的场效应晶体管(FET),属于N沟道增强型MOSFET系列。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其采用先进的半导体制造工艺,在功率密度和效率方面表现出色。
型号:FN03B472K160PLG
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:470V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:16A
导通电阻Rds(on):0.12Ω(典型值)
总功耗Ptot:285W
结温范围Tj:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
FN03B472K160PLG具备高耐压性能,能够承受高达470V的漏源电压,适用于高压应用场合。
其低导通电阻特性显著降低了功率损耗,从而提升了整体系统效率。
该器件支持大电流运行,额定连续漏极电流为16A,适合工业级负载需求。
快速开关能力使得它非常适合高频开关电源和脉宽调制(PWM)应用。
同时,其工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行,增强了可靠性和使用寿命。
FN03B472K160PLG主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 工业电机控制与驱动电路。
3. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
4. 高效DC-DC转换器设计。
5. 大功率LED驱动电路。
6. 各种需要高压大电流处理的应用场景。
IRFP460, STP17NF50, FQP17N50C