时间：2025/6/18 8:39:52
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FMW79N60S1 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于各种功率转换和电机驱动应用，尤其是在需要高效能和可靠性的场合。
FMW79N60S1 的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，这使得它非常适合现代化的自动化生产流程。其耐压等级为 60V，并能够在高频条件下工作，同时保持较低的功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：45nC
反向恢复时间：无（由于是 MOSFET）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，能够支持大功率应用。
3. 快速开关特性，适合高频操作环境。
4. 出色的热稳定性，能够在宽温度范围内稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 紧凑的封装设计，节省 PCB 空间并简化布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统中的保护电路。
5. DC-DC 转换器和逆变器。
6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
FDMF79N60, IRF79N60, STW79N60
