类型：功率MOSFET
　　工艺技术：CoolMOS? CFD7
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：47A
　　导通电阻（RDS(on)）：47mΩ
　　封装类型：TO-247
　　安装类型：通孔安装
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　栅极电荷（Qg）：86nC
　　反向恢复时间（trr）：典型值150ns
　　功率耗散（Ptot）：310W

FMW47N60S1HF-S31PP-P2 的核心特性之一是其采用的CoolMOS? CFD7技术，这种技术显著降低了导通损耗并优化了开关性能，使其适用于高频率操作。该器件的RDS(on)值仅为47mΩ，这意味着在导通状态下，其电压降和功率损耗都非常低，有助于提高系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供可靠的性能，防止因过电压或过电流而损坏。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。TO-247封装还具备较高的机械稳定性，适合在工业环境中使用。
　　在开关性能方面，FMW47N60S1HF-S31PP-P2 的栅极电荷（Qg）较低，为86nC，这有助于减少驱动电路的功率需求，并加快开关速度，从而降低开关损耗。同时，其反向恢复时间（trr）为150ns，较短的恢复时间意味着该器件在高频开关应用中能够表现出更优异的性能。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温工作条件下仍能维持稳定的电气特性，适合用于需要长时间运行的高功率系统。

FMW47N60S1HF-S31PP-P2 广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动和变频器等。
　　在电源转换系统中，该器件可以作为主开关用于DC-DC转换器或AC-DC电源模块，以提高转换效率并减少发热。在太阳能逆变器中，它可用于DC-AC转换部分，实现高效率的能量转换，从而提升整个系统的能源利用率。
　　此外，由于其优异的雪崩性能和高可靠性，FMW47N60S1HF-S31PP-P2 也适用于电动汽车中的车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等关键部件。在这些应用中，MOSFET需要在高温和高电压环境下长期稳定运行，而该器件的特性正好满足这些需求。
　　在电机控制应用中，如伺服驱动器和工业自动化设备中，FMW47N60S1HF-S31PP-P2 可用于PWM（脉宽调制）控制电路中，实现对电机速度和扭矩的精确控制。

IMW47N60S1HF-S11PP-P2, IPA60R470P7S