FMW2 时间：2025/11/8 5:43:05 阅读：8

FMW2是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于高频开关电源、整流电路以及极性保护等场景。该器件采用SOD-123FL小型封装，具有低正向电压降和快速恢复特性，能够有效提升电源转换效率并减少热损耗。FMW2的结构设计使其在高频率工作条件下仍能保持稳定的性能表现，适用于空间受限但对效率要求较高的便携式电子设备和通信模块中。其主要材料符合RoHS环保标准，并具备良好的散热性能与可靠性，适合自动化表面贴装工艺。由于其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸，FMW2常被用于DC-DC转换器、AC适配器、电池充电管理电路以及反向电压保护电路中，是现代低功耗和高效能电子系统中的关键元器件之一。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　极性：单路二极管
　　安装类型：表面贴装
　　工作温度范围：-65°C ~ 150°C（TJ）
　　最大平均整流电流（Io）：2A
　　峰值重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　最大正向压降（VF）：500mV @ 2A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 40V, TJ=125°C
　　最大浪涌电流（IFSM）：50A
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns

特性

FMW2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结替代传统的PN结，从而显著降低了正向导通电压。在2A的工作电流下，其最大正向压降仅为500mV，远低于普通硅二极管的约700–1000mV水平。这一特性直接减少了导通状态下的功率损耗（P = V × I），提升了系统的整体能效，特别适用于追求节能和低发热的应用场合。此外，由于没有少数载流子存储效应，FMW2具备极快的开关速度，其反向恢复时间trr典型值仅为5纳秒，能够在高频PWM控制的DC-DC变换器中实现快速响应，避免了因反向恢复电荷引起的额外能量损耗和电磁干扰问题。
　　该器件的SOD-123FL封装是一种超小型表面贴装形式，体积仅为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm左右，极大节省了PCB布局空间，非常适合高密度集成的消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。尽管尺寸微小，FMW2仍能承受高达2A的平均整流电流和50A的非重复浪涌电流，展现出出色的电流承载能力和瞬态耐受能力。其最大重复反向电压为40V，适用于常见的低压直流系统，例如USB供电、锂电池供电设备及各类嵌入式电源架构。
　　FMW2的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，确保其在严苛环境下的稳定运行。即使在高温工况下，其反向漏电流也受到良好控制，在125°C时最大仅0.5mA，有助于维持电路稳定性。该器件还具备优良的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、汞、六价铬等有害物质，支持绿色环保制造流程。同时，其兼容JEDEC标准的封装便于自动化贴片生产，提高了制造效率和良品率。

应用

FMW2广泛应用于多种电力电子和信号处理电路中。典型用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级整流二极管，尤其是在反激式或同步整流拓扑中作为输出整流元件，利用其低VF和快恢复特性提高转换效率。它也常见于DC-DC升压或降压模块中，用于防止电流倒灌和改善动态响应。在电池供电设备中，FMW2可用于电池极性接反保护电路，当电池反接时阻断电流路径以保护后级IC。此外，该器件适用于隔离电路、电压钳位、续流二极管（Flyback Diode）以及H桥驱动中的箝位保护。在通信设备、工业控制板、LED驱动电源、USB充电端口保护等领域也有广泛应用。由于其高频响应能力强，还可用于射频检测电路或高速逻辑电平切换中的信号整形环节。