时间：2025/9/12 10:53:40
阅读：10
FMW-2206 是一款由 Fujitsu（富士通）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等高功率场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：60V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大漏极电流 (Id)：连续 120A（Tc=25℃）
导通电阻 (Rds(on))：最大 2.5mΩ（在 Vgs=10V）
封装形式：TO-247AD
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FMW-2206 的核心特性之一是其超低导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其沟槽式结构优化了电流传导路径，同时降低了寄生电容，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。该器件具备高雪崩耐量和强大的短路承受能力，适合在高应力环境下使用。此外，FMW-2206 的封装设计具有良好的热传导性能，能够在高电流应用中保持较低的结温，提高系统稳定性。
该 MOSFET 还具备优异的栅极电荷特性，使驱动电路设计更加简便，适用于高频开关应用。其高耐压能力（60V）使其在 12V 至 48V 直流系统中表现优异，适合用于服务器电源、工业自动化设备、电动汽车充电模块等对可靠性要求较高的场合。
FMW-2206 主要应用于高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、电信整流器、DC-DC 转换器、电机控制器、负载开关、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车充电设备等。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也常用于需要高效率和高稳定性的工业和汽车电子系统中。
SiZ120DT, IRFP260N, IPPB212N10N3, FDP120N60
