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FMV21N50ES 发布时间 时间:2025/8/9 10:35:25 查看 阅读:27

FMV21N50ES 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术,具备较高的耐用性和热稳定性。其封装形式为TO-220,适合于高电流、高电压的工作环境。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):21A
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.22Ω @ VGS = 10V
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

FMV21N50ES 具备多项优异特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其高漏源电压(VDS)为500V,使得该MOSFET适用于高压环境,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及逆变器系统等。其次,漏极电流可达21A,表明该器件具有较强的负载驱动能力,能够支持高功率输出。此外,该MOSFET的导通电阻(RDS(on))为0.22Ω,在VGS为10V时,能够有效降低导通损耗,提高整体系统的能效。
  该器件的封装形式为TO-220,这种封装不仅具备良好的散热性能,而且便于安装和使用,适合多种工业和消费类电子应用。TO-220封装还具有较高的机械强度和热稳定性,能够在较高温度环境下稳定运行。
  FMV21N50ES 还具备良好的热保护性能,能够在过热条件下自动限制电流,防止器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽(±30V),便于与不同类型的控制电路配合使用,例如PWM控制器或微处理器系统。此外,该器件的开关速度快,响应时间短,适用于高频开关操作,从而减小外部电路的尺寸和重量,提高系统的整体效率。
  该MOSFET还具有较强的雪崩能量承受能力,可在极端工作条件下提供额外的安全保障,避免因过压或瞬态电压引起的器件损坏。

应用

FMV21N50ES 广泛应用于多种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS(不间断电源)系统以及LED照明驱动电路等。在开关电源中,该器件可作为主开关管使用,负责高频开关操作,将输入电压转换为所需的输出电压。在DC-DC转换器中,FMV21N50ES 可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效能的能量转换。
  在电机控制和驱动电路中,该MOSFET可用于H桥电路,控制电机的正反转和速度调节。此外,在逆变器系统中,FMV21N50ES 可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、UPS等应用。在LED照明系统中,该器件可用于恒流驱动电路,提供稳定的电流输出,确保LED灯的亮度稳定和寿命延长。
  由于其高耐压、高电流和低导通电阻的特性,FMV21N50ES 也适用于家电产品中的电源模块,如空调、洗衣机和电磁炉等设备的功率控制部分。

替代型号

FQA20N50C, IRFBC40, STP20N50, 2SK2545

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