时间：2025/8/9 10:35:25
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FMV21N50ES 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术，具备较高的耐用性和热稳定性。其封装形式为TO-220，适合于高电流、高电压的工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：21A
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FMV21N50ES 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高漏源电压（VDS）为500V，使得该MOSFET适用于高压环境，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及逆变器系统等。其次，漏极电流可达21A，表明该器件具有较强的负载驱动能力，能够支持高功率输出。此外，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）为0.22Ω，在VGS为10V时，能够有效降低导通损耗，提高整体系统的能效。
该器件的封装形式为TO-220，这种封装不仅具备良好的散热性能，而且便于安装和使用，适合多种工业和消费类电子应用。TO-220封装还具有较高的机械强度和热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。
FMV21N50ES 还具备良好的热保护性能，能够在过热条件下自动限制电流，防止器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），便于与不同类型的控制电路配合使用，例如PWM控制器或微处理器系统。此外，该器件的开关速度快，响应时间短，适用于高频开关操作，从而减小外部电路的尺寸和重量，提高系统的整体效率。
该MOSFET还具有较强的雪崩能量承受能力，可在极端工作条件下提供额外的安全保障，避免因过压或瞬态电压引起的器件损坏。
FMV21N50ES 广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及LED照明驱动电路等。在开关电源中，该器件可作为主开关管使用，负责高频开关操作，将输入电压转换为所需的输出电压。在DC-DC转换器中，FMV21N50ES 可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效能的能量转换。
在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可用于H桥电路，控制电机的正反转和速度调节。此外，在逆变器系统中，FMV21N50ES 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、UPS等应用。在LED照明系统中，该器件可用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出，确保LED灯的亮度稳定和寿命延长。
由于其高耐压、高电流和低导通电阻的特性，FMV21N50ES 也适用于家电产品中的电源模块，如空调、洗衣机和电磁炉等设备的功率控制部分。
FQA20N50C, IRFBC40, STP20N50, 2SK2545
