时间：2025/8/9 7:35:05
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FMV20N50GX是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机驱动器和电池管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：20A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大）
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Pd）：125W
FMV20N50GX具有优异的导通和开关性能，其低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的稳定性和可靠性。此外，其高耐压能力使其适用于多种高电压应用。封装设计符合行业标准，便于安装和散热管理，适合在高温环境下运行。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计。此外，FMV20N50GX的封装设计具有良好的绝缘性能，能够满足安全要求，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
FMV20N50GX主要用于各种高功率电子设备中，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机控制器、照明系统、不间断电源（UPS）以及电动汽车的电池管理系统。它还适用于工业自动化设备和家用电器中的功率控制模块。
FGA20N50LNT4G, FQA20N50, IRFP460LC
