时间：2025/8/9 18:46:30
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FMV19N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高电压和高电流应用。这款器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等场合。其600V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于中高压环境，同时具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高系统效率并减少热量产生。FMV19N60ES采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于工业级和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：19A
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
FMV19N60ES具有多项关键特性，适用于多种高要求的应用场景。首先，其600V的漏源电压额定值使其能够在中高压系统中稳定运行，适用于电源转换和电机控制等场合。其次，导通电阻RDS(on)的最大值为0.22Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的连续漏极电流能力，最大可达19A，使其能够处理较大的负载。
该MOSFET还具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体效率。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性。此外，FMV19N60ES具备较强的抗过载能力和较高的可靠性，适用于工业级环境和长时间运行的应用。
FMV19N60ES广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明系统、电机控制电路以及各种功率调节设备。在开关电源中，该器件用于高频率的开关操作，以提高电源转换效率；在DC-DC转换器中，它用于电压调节和能量传输；在LED照明系统中，FMV19N60ES可用于恒流驱动和调光控制。此外，该器件还适用于电机控制和工业自动化系统，用于驱动负载并实现精确的功率管理。
FQA19N60C、IRFGB40N60HD、FGA25N60SMD、FGA19N60SMD
