时间：2025/8/9 1:13:15
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FMV19N57是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频率的应用。该器件采用先进的平面技术，具有优良的导通电阻和开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器和马达控制等场景。FMV19N57封装在TO-220或类似的功率封装中，能够有效散热并确保稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：19A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.27Ω（最大值）
功率耗散（PD）：150W
封装类型：TO-220
FMV19N57具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗。器件采用先进的平面制造工艺，增强了热稳定性和长期可靠性。此外，FMV19N57具有高耐压能力，在高压环境下运行稳定，适合用于要求高效率和高可靠性的功率转换系统。它的封装设计有助于高效散热，使器件在高功率负载下也能保持良好的温度控制。这种MOSFET还具备良好的抗过载能力和短路保护特性，使其在复杂工况下仍能正常工作。
FMV19N57广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电设备、电机驱动和逆变器系统。它也适用于照明控制、工业自动化和高功率负载管理。由于其高耐压和高电流处理能力，这款MOSFET特别适合用于需要高效能和可靠性的电力电子设备中。此外，它还可在高电压功率放大器和电源管理系统中发挥重要作用。
IRF840, FQA19N50C, FDPF19N50, STF19N50M}
