型号：FMV17N55ES
　　制造商：ON Semiconductor (原 Fairchild)
　　晶体管类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：550V
　　漏极电流(Id)：17A @ 25°C
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：380mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：4V ~ 6V
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：290pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：约 110ns
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

FMV17N55ES具备出色的高压阻断能力与高效的开关特性，这使其成为高性能电源设计中的关键元件之一。其550V的漏源击穿电压确保了在高压输入条件下仍能安全运行，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的开关电源拓扑结构，如反激式、正激式或LLC谐振转换器。器件的低导通电阻（典型值为380mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，并有助于减少散热需求，从而支持更紧凑的设计。
　　该MOSFET采用了优化的平面工艺技术，实现了良好的热稳定性和长期可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为70nC，这意味着驱动电路所需提供的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低控制芯片的负担。同时，较低的输入和输出电容也有助于加快开关速度，减小开关过渡时间，进一步降低开关损耗，尤其是在高频工作状态下表现突出。
　　FMV17N55ES还具备较强的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，提升了系统在异常情况下的鲁棒性。此外，该器件对dv/dt噪声具有较高的抗扰度，减少了误触发的风险，提高了电磁兼容性（EMC）性能。TO-220FP封装不仅提供了优良的散热路径，而且引脚配置符合行业标准，便于PCB布局和自动化装配。综合这些特点，FMV17N55ES非常适合用于工业电源、消费类适配器、LED驱动电源以及光伏逆变器等多种应用场景。

FMV17N55ES主要用于各类需要高压、高效开关功能的电源系统中。典型应用包括离线式反激转换器，这类电路常见于手机充电器、笔记本电脑适配器和电视电源模块中，利用其高耐压和快速开关特性实现高效率的能量转换。此外，它也适用于有源功率因数校正（PFC）电路，在升压拓扑中作为主开关管使用，帮助提升输入端的功率因数并满足IEC61000-3-2等谐波标准要求。
　　在照明领域，FMV17N55ES可用于大功率LED驱动电源，特别是在恒流输出拓扑中担任主控开关，确保光线稳定且无频闪。其高可靠性和长寿命特性使其适用于户外照明、商业照明等严苛环境。
　　工业应用方面，该器件可用于小型逆变器、UPS不间断电源、电机控制板中的DC-DC级转换，以及太阳能微逆变器系统中进行直流斩波或隔离变换。由于其具备良好的热性能和电气稳定性，也可用于高温环境下的持续运行设备。
　　此外，FMV17N55ES还可用于电子镇流器、激光电源、医疗电源等对安全性和稳定性要求较高的专用电源系统中。其广泛的工作温度范围和坚固的封装结构使其适应多种复杂工况，是中高端电源设计中值得信赖的核心功率器件之一。

FQA16N55C
　　K2175
　　2SK2175
　　STP16NF55