时间：2025/8/9 15:55:12
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FMV16N60ES是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高达600V的漏极-源极电压下工作，具备良好的导通和开关性能，适用于各种高功率开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：16A
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.22Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：80W
FMV16N60ES具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其快速开关特性降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
此外，FMV16N60ES具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的耐用性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能维持较低的工作温度。
FMV16N60ES常用于各种电源转换系统，如AC/DC电源适配器、DC/DC转换器、太阳能逆变器、电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
此外，它也适用于照明系统、充电器、UPS（不间断电源）和电池管理系统等高功率应用领域。
FQA16N60C、IRFBC40、K2143、TK16A60D
