FMV16N50ES 时间：2025/8/9 15:27:49 阅读：11

FMV16N50ES是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性，适用于电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动、电池充电器等电力电子设备中。作为一款500V MOSFET，它在高电压条件下依然能够保持稳定的性能。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.27Ω（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-262、TO-263等

特性

FMV16N50ES具有多个关键特性，使其适用于多种高电压和高功率应用场景。首先，它的导通电阻较低，意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较小，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压可达500V，使其适用于高电压输入的开关电源和逆变器系统。
　　此外，FMV16N50ES具有快速开关能力，能够减少开关过程中的能量损耗，提高工作效率，适用于高频开关电路。其高栅极击穿电压（±30V）增强了器件的可靠性，减少了因过压引起的损坏风险。该MOSFET还具备良好的热稳定性和过载承受能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。最后，其常见的TO-220和表面贴装封装形式使其易于集成到不同类型的电路板中，适用于多种工业应用。

应用

FMV16N50ES广泛应用于各类电力电子设备中。它常见于开关电源（SMPS）中，用于高效地转换和调节电能。此外，该MOSFET也适用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路和LED驱动电源等应用。由于其高耐压和高电流承载能力，FMV16N50ES也常用于家用电器、工业自动化设备和电动工具的功率控制电路中。在太阳能逆变器和电池充电器等新能源相关设备中，该器件同样具有良好的应用表现。