类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：16A
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-3P等

FMV16N50ES具备一系列出色的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其漏源电压（VDS）达到500V，能够承受高电压应力，适用于高压开关电路。其次，该MOSFET的连续漏极电流（ID）为16A，具有较高的电流承载能力，适用于高功率输出设计。
　　此外，FMV16N50ES的导通电阻（RDS(on)）较低，通常在0.25Ω以下，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的栅源电压（VGS）为±30V，具备较强的抗过压能力，确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。
　　从热性能来看，该MOSFET的最大功耗为200W，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境。常见的封装形式包括TO-220和TO-3P，便于安装和散热设计。
　　该器件还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，减少开关损耗并提高整体效率。此外，其耐用性和可靠性也使其成为工业自动化、电机控制和电源管理系统的理想选择。

FMV16N50ES广泛应用于多种高功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器和UPS系统。此外，该器件也常用于电机控制、电动车充电器、工业自动化设备和LED照明驱动电源。
　　在电源管理系统中，FMV16N50ES的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的功率转换模块。在电机控制领域，该MOSFET可用于H桥电路，实现电机的双向控制和调速功能。此外，由于其良好的高频响应特性，也被广泛应用于高频开关电路和电源管理IC的外围功率开关。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC系统的输出驱动模块，控制高功率负载如继电器、电磁阀和电机。在电动车和储能系统中，FMV16N50ES可作为电池充放电控制开关，实现高效能的能量管理。

16N50E、FQP16N50C、IRFBC40、K2645、2SK2645