FMV11N90E 时间：2025/8/9 18:39:48 阅读：30

FMV11N90E是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率、高频开关应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压（900V）和高电流承载能力。由于其优良的热稳定性和高效的开关性能，FMV11N90E广泛应用于电源转换器、电机驱动、LED照明、工业自动化等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

特性

FMV11N90E具有多项优异的电气和热性能，确保其在各种高要求应用场景下的稳定运行。首先，该器件的导通电阻仅为0.55Ω，在VGS=10V时能有效降低导通损耗，提高能效。其次，其高达900V的漏源耐压能力使其适用于高电压输入环境，如AC/DC电源适配器、开关电源（SMPS）等。
　　此外，FMV11N90E具备良好的热稳定性，其封装设计（如TO-220或D2PAK）支持良好的散热性能，确保在高电流负载下仍能保持较低的工作温度。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），可适配多种控制电路设计，增强系统的灵活性和可靠性。
　　在开关性能方面，FMV11N90E具备较低的输入电容（Ciss）和快速的开关时间，使其在高频开关应用中表现优异，减少开关损耗并提升系统效率。此外，其内置的体二极管（Body Diode）具有较快的反向恢复时间（trr），可有效降低电磁干扰（EMI），提升系统整体性能。

应用

FMV11N90E适用于多种高功率和高频应用场合。在电源管理领域，该器件可用于设计高效的AC/DC和DC/DC转换器，满足服务器电源、通信设备、工业自动化控制等对高效率和高稳定性的需求。在电机控制方面，FMV11N90E可作为H桥电路中的开关元件，实现高效、低噪声的电机驱动。此外，该MOSFET也广泛用于LED照明系统中的恒流驱动电路，提供稳定可靠的电流控制。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，FMV11N90E可作为主开关器件，实现高效的能量转换。其高耐压和低导通电阻特性使其在这些高压、高电流环境下表现出色。此外，该器件也可用于家电产品中的电源开关和控制电路，如微波炉、电饭煲、空调等，提供稳定可靠的电力支持。