时间：2025/8/9 19:43:36
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FMV10N80E是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等高功率应用场合。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss)：800V
最大漏极电流(Id)：10A（常温下）
导通电阻(Rds(on))：典型值0.55Ω
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-3P或其他表面贴装形式
FMV10N80E MOSFET具备优异的导通性能和快速开关响应能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的热稳定性良好，能够承受较高的工作温度，适合在恶劣环境中使用。
在结构设计上，FMV10N80E采用了先进的平面工艺和沟槽技术，提升了器件的可靠性和抗雪崩能力。该MOSFET还具备良好的短路耐受性，适用于对安全性和稳定性要求较高的电源和工业控制系统。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备等高功率电子系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能、高稳定性的理想选择。
K2843、FQA10N80C、10N80、K2837、FMV12N80E
