漏源电压(Vds)：900V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：9A（最大）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.85Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220FM
　　耗散功率(Pd)：50W

FMV09N90E是一款性能优异的功率MOSFET，具有多个显著的电气和热特性优势。首先，其高击穿电压允许在高压环境中稳定运行，适用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正电路等高电压应用。其次，该器件的低导通电阻可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　从热管理角度来看，FMV09N90E采用高散热效率的封装设计，使其能够在较高的功率条件下稳定工作。该器件还具有良好的短路耐受能力和过热保护特性，进一步提高了系统的可靠性。
　　在封装方面，TO-220FM是一种常用的功率封装形式，具备良好的机械稳定性和易于安装的特点，适用于多种工业和消费类电子产品。

FMV09N90E广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、功率因数校正（PFC）电路、照明驱动器（如LED驱动器）、马达驱动器以及各种工业自动化和消费类电子产品中的功率控制电路。
　　在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。在功率因数校正电路中，其快速开关特性可以提高系统的功率因数，降低谐波失真。此外，FMV09N90E还可用于逆变器和变频器中，作为核心功率器件实现高效的电能转换。
　　由于其高耐压和良好的热管理能力，该器件也可用于高压负载开关、电池管理系统和电动车充电设备等新兴应用领域。

FQA9N90C, SPW98N90CFD, STF9N90DM2