类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：8A（Tc=25℃）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（最大值1.1Ω）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

FMV08N60GX具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高漏源电压（600V）使其适用于中高功率的开关电源设计。其次，8A的连续漏极电流能力满足了对中等功率负载的驱动需求，适用于多种工业和消费类电子产品。
　　此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.85Ω，最大不超过1.1Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。在高频率开关应用中，这种低Rds(on)特性尤为重要，能够显著减少发热并提升能量转换效率。
　　FMV08N60GX采用TO-220封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。其±30V的栅极电压容限提高了器件在复杂电磁环境中的可靠性，降低了因栅极电压波动导致失效的风险。
　　该器件的热阻较低，能够在较高的环境温度下稳定运行，适用于紧凑型设计和对散热要求较高的应用。同时，其工作温度范围宽达-55℃至+150℃，适用于严苛的工业环境及车载应用。

FMV08N60GX广泛应用于各类电力电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其高电压和中等电流能力使其特别适合于功率因数校正（PFC）电路和反激式转换器设计。
　　在消费电子产品中，该MOSFET可用于电源适配器、LED照明驱动器以及智能家电中的电源管理模块。在工业领域，它常用于变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器等设备中。此外，由于其良好的热性能和电气稳定性，FMV08N60GX也可用于车载电源系统和电动车相关应用中，满足高可靠性和长寿命要求。

FQP8N60C、IRF840、K2645、FMV10N60E、TK10A60D