时间：2025/8/9 19:22:08
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FMV07N90E是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了优异的导通性能和开关特性。FMV07N90E通常用于电源转换器、电机控制、逆变器和其它需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：900V
最大漏极电流(ID)：7A
导通电阻(RDS(on))：约1.2Ω（典型值）
栅极电荷(Qg)：30nC（典型值）
封装类型：TO-220
FMV07N90E具备低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，从而减小了外部元件的尺寸和成本。
其高雪崩能量耐受能力确保了在恶劣工作条件下的可靠性。FMV07N90E还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
该MOSFET的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合多种电路设计需求。其栅极驱动特性较为温和，兼容常见的驱动电路设计。
FMV07N90E广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、照明控制系统和电池管理系统等领域。此外，它也可用于工业自动化设备、UPS系统以及新能源汽车中的功率控制模块。
FMV07N90E可以使用类似规格的N沟道MOSFET进行替代，例如FQA7N90C、2SK2545、或SiHP07N90E。
