FMV07N60S1是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器等高功率电子设备中。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能,能够在高压高电流条件下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):7A
脉冲漏极电流(IDM):28A
导通电阻(RDS(on)):1.5Ω(典型值)
功耗(PD):45W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
FMV07N60S1的主要特性包括其高耐压能力,漏源电压可达600V,使其适用于高电压环境下的开关应用。其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率,从而在高功率应用中实现更佳的能效表现。
此外,该器件具有良好的热稳定性,采用TO-220封装形式,便于散热和安装,适用于多种功率电子设备。其栅极驱动电压范围较宽,支持+10V至+20V之间的驱动电压,使得其与多种驱动电路兼容。
FMV07N60S1还具备较高的开关速度,能够支持高频操作,适用于需要快速开关的DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。同时,其具备一定的抗雪崩击穿能力,能够在极端工作条件下提供一定的保护作用,增强系统的可靠性。
该MOSFET具有良好的耐用性和稳定性,适用于工业自动化、汽车电子、家用电器等多种应用场景。其标准的TO-220封装也便于手工焊接和自动化装配,适合批量生产使用。
FMV07N60S1主要应用于开关电源(SMPS)、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动、电机驱动电路、电池充电器、不间断电源(UPS)、家用电器(如电磁炉、变频空调)以及工业自动化控制系统等场合。
在电源管理领域,该器件可用于高效能转换系统,实现高效率的电能转换;在电机控制中,可用于H桥驱动电路,实现电机的正反转和调速功能;在LED驱动中,可用于恒流控制和调光功能;在家用电器中,常用于功率控制和节能设计。
此外,该MOSFET也广泛用于太阳能逆变器、风力发电控制系统、电动车电源管理模块等新能源应用领域,为现代绿色能源系统提供可靠的功率开关解决方案。
FQP7N60C, IRF740, STP7NK60Z, 2SK2143