时间：2025/8/6 18:35:34
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FMU33R是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双极型射频（RF）晶体管，属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频率应用而设计，常见于射频放大器、混频器、振荡器等射频和微波电路中。FMU33R采用SOT-343封装形式，具有小型化和高性能的特点，适用于无线通信、广播设备和工业控制系统等领域。
类型：NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压：15V
最大集电极电流：100mA
最大功率耗散：200mW
频率范围：最高可达1GHz
增益带宽积：10GHz
封装形式：SOT-343
FMU33R晶体管具有出色的高频性能，能够在高频环境下保持稳定的增益和低噪声特性。其双极型结构使其在低电压条件下依然具备良好的线性放大能力。此外，FMU33R采用先进的制造工艺，确保在高频应用中具备较低的失真和较高的可靠性。该晶体管的SOT-343封装形式使其适合高密度印刷电路板设计，并具有良好的热稳定性和机械强度。在射频应用中，FMU33R能够提供优异的信号放大和低噪声性能，适用于多种无线通信系统和射频前端模块。
FMU33R广泛应用于射频放大器、混频器、振荡器和调制解调器等高频电路中。此外，该晶体管还常见于无线通信设备、广播接收器、测试测量仪器和工业控制系统的射频模块中。
BFU520, BFG21, BFR181
