类型：PIN二极管
　　封装形式：表面贴装（SOD-523或类似微型封装）
　　最大反向电压：50V
　　正向电流（最大）：100mA
　　结电容（典型值，1MHz，1V偏置）：0.3pF
　　串联电阻（Rs，典型值）：1.2Ω
　　反向恢复时间（trr）：< 1ns
　　工作频率范围：DC至6GHz以上
　　热阻（Rth）：约300°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

FMU-22S的核心优势在于其卓越的高频性能与紧凑的物理尺寸相结合，使其成为高频射频电路中的理想选择。该PIN二极管采用优化的硅基PIN结构，其中间本征层经过精确掺杂控制，实现了低载流子复合率和高Q值，从而在微波频段内表现出极低的插入损耗和较高的功率处理能力。在正向偏置状态下，其低串联电阻（Rs约为1.2Ω）确保了信号通过时的能量损失最小化；而在反向偏置下，极小的结电容（典型值0.3pF）提供了良好的电抗特性，增强了高频信号的隔离效果。这种双向优化的电气行为使得FMU-22S非常适合用于构建高性能的射频开关和连续可调衰减器。
　　该器件的快速开关响应时间（反向恢复时间小于1纳秒）使其能够适应高速调制和脉冲操作场景，如雷达系统的T/R模块或高速数据通信链路中的动态信号路由。此外，其表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还通过短引线设计减少了寄生电感和电容的影响，进一步提升了高频工作的稳定性。FMU-22S的工作频率可覆盖从直流到6GHz以上的范围，适用于L波段、S波段乃至部分C波段的应用需求。
　　在可靠性方面，FMU-22S具备优良的热稳定性和机械坚固性，能够在-55°C至+150°C的宽温范围内持续稳定工作，适应恶劣的工业和军事环境。其制造过程遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性与长期使用寿命。同时，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，但在实际使用中仍建议采取适当的防护措施以避免损伤敏感的PN结结构。总体而言，FMU-22S是一款集高频性能、小型化、高可靠性和良好工艺兼容性于一体的高性能PIN二极管，是现代射频前端设计中不可或缺的关键元件之一。

FMU-22S主要应用于各类高频和微波电子系统中，尤其是在需要精确控制射频信号路径或幅度的场合。一个典型应用是在射频开关电路中，利用其在正向导通和反向截止状态之间的快速切换能力，实现多通道信号的选择与切换，常见于无线通信基站、卫星通信终端以及便携式无线电设备中。此外，它也广泛用于可变衰减器的设计，通过调节流经二极管的直流偏置电流来改变其阻抗特性，从而实现对射频信号强度的连续或步进控制，这在自动增益控制系统（AGC）、测试测量仪器的信号调理模块中尤为重要。
　　在雷达和电子战系统中，FMU-22S可用于构建收发（T/R）模块中的开关网络，负责在发射和接收模式之间快速切换天线连接，确保系统安全并提升响应速度。其低寄生参数和高隔离度有助于减少信号串扰，提高系统信噪比。另外，在天线调谐单元（Antenna Tuning Unit, ATU）中，该器件可用于动态调整匹配网络，以适应不同频段或环境变化下的阻抗匹配需求，提升天线效率。
　　由于其微型表面贴装封装，FMU-22S也非常适合高密度集成的毫米波模块、智能手机前端模组、物联网无线模块以及其他空间受限的高频应用场景。在研发和生产测试环节，该器件还常用于搭建高频探针卡、校准夹具和信号路由开关矩阵，支持自动化测试平台的高效运作。总之，FMU-22S凭借其出色的电气性能和灵活的可配置性，已成为现代高频模拟电路设计中的关键组件之一。

UM-2200
　　MA4P7470-107
　　HSMS-286x系列
　　BAR50-03W