时间：2025/8/9 14:27:46
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FMR28N50E是一款由FSC（飞虹半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备中。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和电气性能，适合高效率和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：28A（在25℃）
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.18Ω
栅极电压（VGS）：±30V
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220
FMR28N50E具有较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用环境，例如电源适配器、LED驱动电源和工业控制设备。该器件具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
此外，FMR28N50E采用了先进的平面工艺技术，提高了器件的可靠性和耐用性。其高栅极电压容限（±30V）增强了在复杂电路环境下的抗干扰能力。TO-220封装形式有助于良好的散热性能，适用于需要高效散热的应用场景。
该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC变换器，能够有效减少开关损耗并提高系统的响应速度。同时，其设计符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发。
FMR28N50E主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器、电源适配器等。
2. DC-DC转换器：用于电池供电设备、车载电源系统等。
3. 电机驱动：用于无刷直流电机、步进电机等控制电路。
4. LED驱动电源：提供高效率和稳定输出的LED照明系统。
5. 工业自动化设备：用于变频器、逆变器、工业控制电源等场合。
6. 家用电器：如空调、洗衣机、电热水器等高功率电器设备。
IRF28N50C、FQA28N50C、STF28N50M、2SK2545
