时间：2025/12/28 9:02:57
阅读：6
FMR23N60ES是一款由Fairchild Semiconductor（现属于onsemi）推出的高性能高压MOSFET器件，适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的平面场截止技术制造，具备低导通电阻和优异的开关特性，能够在600V的高电压环境下稳定工作。FMR23N60ES是N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于AC-DC开关电源、PFC（功率因数校正）电路、逆变器以及各种工业电源系统中。其封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能和可靠性，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。此外，该器件通过了RoHS环保认证，符合现代绿色电子产品的设计要求。由于其优化的体二极管特性和较低的栅极电荷，FMR23N60ES在高频开关应用中表现出色，有助于提升整体能效并降低热损耗。
型号：FMR23N60ES
制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：23A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω（@Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.5V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
功耗（Pd）：200W（@Tc=25°C）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
输入电容（Ciss）：1300pF（@Vds=25V）
输出电容（Coss）：190pF（@Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：45ns
封装类型：TO-220F
FMR23N60ES采用了先进的平面场截止（Planar Field-Stop）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频率开关电源中表现优异。该器件的低导通电阻（典型值为0.21Ω）有效减少了在大电流条件下的I2R损耗，从而提高了系统整体效率，并降低了对散热系统的要求。其优化的栅极结构设计使得栅极电荷（Qg）较低，进一步减少了驱动损耗，使控制器能够以更小的驱动功率实现快速开关动作。
该MOSFET具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换过程中的可靠性，适用于高应力工作环境。其内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约为45ns），可有效减少在连续导通模式（CCM）PFC电路中的反向恢复损耗和电压尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）并提升系统稳定性。
此外，FMR23N60ES的热阻性能优良，TO-220F封装提供了良好的热传导路径，便于安装散热片，适用于长时间高负载运行的应用场景。器件还具备良好的抗di/dt和dv/dt能力，在高频硬开关拓扑中展现出较强的鲁棒性。所有这些特性共同确保了其在工业级应用中的长期可靠性和耐用性。
FMR23N60ES广泛用于各类高效率电力电子变换系统。常见应用包括连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrCM）的功率因数校正（PFC）升压电路，尤其适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块中。该器件也常用于反激式、正激式和半桥式DC-DC转换器的主开关元件，支持高输入电压（如380V DC母线）下的高效能量转换。
在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动系统中，FMR23N60ES凭借其高耐压能力和低开关损耗，成为理想的功率开关选择。此外，它还可用于LED恒流驱动电源、高压充电器以及各类工业控制设备的电源部分。由于其封装标准化且易于安装，特别适合需要高功率密度和高可靠性的紧凑型设计。
FQP23N60S,FQA23N60S,STP23NM60ND,IPB23N60S
