型号：FMR23N50ES
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220F
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：23A @ 100°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：92A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω @ Vgs=10V, Id=11.5A
　　阈值电压（Vgs(th)）：3~5V @ Id=250μA
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：170pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns @ If=3.4A, dI/dt=100A/μs
　　功耗（Pd）：200W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　栅极电荷（Qg）：63nC @ Vds=400V, Id=11.5A

FMR23N50ES采用了先进的平面场截止技术，这一工艺显著降低了器件的导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在高电压应用中实现更高的能效。其典型的导通电阻仅为0.18Ω，在500V耐压等级的MOSFET中处于领先水平，能够有效减少导通状态下的功率损耗，提升电源系统的整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）为63nC，在同类产品中表现优异，较低的栅极驱动需求意味着可以使用更小的驱动电路，降低驱动损耗并简化外围设计。同时，其输入电容和输出电容较小，有利于高频开关操作，适用于现代高频率工作的开关电源拓扑结构，如LLC谐振转换器或有源钳位反激电路。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，TO-220F封装具有良好的散热能力，允许器件在高负载条件下长时间运行而不发生热失效。其最大功耗可达200W（在壳温25°C时），结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境。体二极管的反向恢复时间较短（典型值45ns），且反向恢复电荷较低，这在连续导通模式下尤其重要，可有效抑制因二极管反向恢复引起的电压振荡和电磁干扰（EMI），提高系统可靠性。此外，该器件对雪崩能量具有一定的承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　FMR23N50ES还具备良好的抗di/dt和dv/dt能力，能够在快速开关过程中保持稳定，避免误触发或闩锁效应。其栅源电压额定值为±30V，提供了足够的驱动裕度，兼容常见的驱动IC输出电平。整个器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保在长期使用中的稳定性和一致性。这些综合特性使得FMR23N50ES不仅适用于常规电源设计，也能够在高要求的工业和通信电源系统中可靠运行。

FMR23N50ES广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。首先，它常用于AC-DC功率因数校正（PFC）电路，尤其是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC升压拓扑中，作为主开关器件，利用其低Rds(on)和良好开关特性来提高能效并满足能源之星等能效标准。其次，在DC-DC转换器中，特别是半桥、全桥或双有源桥（DAB）结构中，该器件可用于实现高效的电压变换，适用于服务器电源、通信电源模块及工业电源设备。
　　此外，FMR23N50ES也常见于反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中，特别是在大功率适配器、LED驱动电源和充电站电源模块中发挥关键作用。由于其具备较高的电流处理能力和耐压水平，特别适合用于200W以上的离线式电源设计。在电机驱动领域，该器件可用于小型变频器或伺服驱动器中的功率级开关，实现对交流或直流电机的高效控制。同时，其良好的热性能和可靠性也使其适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和焊接设备等工业级应用场合。
　　由于FMR23N50ES支持高频开关操作，因此也被用于高频感应加热、超声波发生器等特殊电源系统中。其封装形式便于安装在散热片上，适合批量生产和自动化装配。总体而言，该器件凭借其高性价比、稳定性能和广泛应用兼容性，已成为众多电源设计工程师在500V电压等级下进行功率开关选型的重要选择之一。

FQP23N50, STP23NM50FD, K23N50, 2SK3562