时间：2025/8/9 11:41:35
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FMP80N10T2是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产。这款MOSFET适用于高电流、高功率的应用，具有良好的导通性能和热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为5.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C~175°C
封装形式：TO-220AB
栅极电荷（Qg）：约60nC
FMP80N10T2具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流条件下能够减少功率损耗并提高系统效率。
该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了出色的热管理和高耐久性，适用于高温环境下的稳定运行。
由于其高电流容量和低Rds(on)特性，FMP80N10T2非常适合用于高功率开关应用，例如电源供应器、DC-DC转换器以及电机驱动系统。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统性能。
其封装形式为TO-220AB，便于安装在散热器上，提高散热效率，确保在高功率条件下的稳定运行。
该器件的栅极阈值电压范围适中，便于与常见的驱动电路兼容，确保可靠的开关控制。
FMP80N10T2广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、功率放大器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
该器件的高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效能电源管理系统的理想选择，有助于减少能量损耗并提高系统整体效率。
在电机控制和功率放大器应用中，FMP80N10T2的快速开关特性能够提供更精确的控制和更高的输出功率。
此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等高功率应用场景。
FDP80N10, IRF1405, STP80NF10, FQP80N10
