时间：2025/8/9 0:41:33
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FMP65N15T2 是一款由 Fairchild（飞兆）半导体推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于N沟道增强型晶体管系列。这款MOSFET专为高电流和高频应用设计，适用于电源转换系统、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高功率电子设备。FMP65N15T2采用了先进的平面DMOS技术，提供了出色的导通性能和开关特性，同时具备良好的热稳定性。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：65A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：约15mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大栅极电压：±20V
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-220
功率耗散（Pd）：160W
FMP65N15T2具有多项优异的电气特性和设计优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，有助于提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，在高负载条件下依然能够稳定运行。此外，FMP65N15T2采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，使其能够在高温环境下工作而不发生热失效。其栅极驱动特性优化，使得开关速度较快，适用于高频开关应用。FMP65N15T2还具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在瞬态过电压或过电流情况下保持稳定。这些特性使得该器件在现代功率电子系统中具有广泛的应用价值。
FMP65N15T2适用于多种高功率电子应用。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关等电路中，以实现高效能的能量转换和管理。在电机控制领域，该器件可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机，提供高效的功率输出。此外，FMP65N15T2也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统、电源适配器、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统等。其优异的开关特性和高可靠性使其成为高要求功率应用中的理想选择。
FMP65N15T2的替代型号包括：IRF65N15D2、STP65N15FZ、FDP65N15T2
