时间：2025/8/9 12:01:04
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FMP49N20T2 是一款由 Fairchild（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率应用，具有较高的导通性能和较低的导通损耗。它采用 TO-220 封装形式，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和电源开关等场景。FMP49N20T2 的最大漏源电压（VDS）为 200V，使其适用于中高压功率转换系统。
漏源电压(VDS)：200V
栅源电压(VGS)：±30V
漏极电流(ID)：49A（连续）
导通电阻(RDS(on))：0.036Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD)：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
FMP49N20T2 具备多项优异的电气特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)）设计，使得在导通状态下功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。该 MOSFET 的最大漏极电流可达 49A，适合高电流应用场景。此外，其 200V 的最大漏源电压支持在中高压系统中稳定工作，例如开关电源（SMPS）和工业电机控制电路。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，增强了电流处理能力，同时保持了良好的热稳定性。TO-220 封装具备良好的散热能力，有助于在高负载条件下维持器件的可靠运行。此外，FMP49N20T2 具备较高的栅极驱动兼容性，可与常见的驱动电路配合使用，简化设计流程。
其内置的快速反向恢复二极管特性，使得在高频率开关应用中能够有效减少能量损耗，提高系统的动态响应能力。该 MOSFET 还具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下提供一定的保护作用，增强系统的稳定性。
FMP49N20T2 常用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动器和功率放大器等。由于其高耐压和大电流特性，该器件也适合用于工业自动化控制系统、不间断电源（UPS）、电池管理系统以及电动工具和电动车控制器等应用场合。
在电源设计中，FMP49N20T2 可作为主开关元件用于 Boost 或 Buck 转换器，提供高效能的电压转换。在电机控制应用中，它可以用于 H 桥电路实现电机的双向驱动。此外，在电池充电系统中，FMP49N20T2 也可作为功率开关，实现对充电电流的精确控制。
IRF4905, FDP49N20, FQP49N20
